目前，全球智能卡芯片市场需求巨大,竞争激烈，而当前国内主流智能卡工艺仍然停留在较低的130纳米水平，相比国际上主流的90纳米存在一定的差距。国内芯片公司为了更好参与国际竞争，必须提供更有竞争力的产品。

中国电子与国内半导体生产厂商进行战略合作，积极组织研发力量，合作开发基于55纳米工艺的智能卡芯片产品，取得了多项成就。一是将闪存生产工艺嵌入到55纳米逻辑工艺中，解决了嵌入式闪存工艺流程复杂和高深宽比沟槽隔离等难题，提升了存储器件电学特性和可靠性，擦写可靠性达25年/50万次。二是通过集成电路设计创新，提高了55纳米工艺智能卡芯片产品模拟电路系统的精度、鲁棒性和抗干扰性，保证了产品高良品率、高可靠性和大规模生产健壮性。三是通过工艺集成创新，成功实现了与55纳米纯逻辑工艺平台百分之百兼容，所有尺寸的逻辑核心器件和输入输出器件电学参数保持不变，实现逻辑工艺库和IP的复用。四是实现了可靠性测试方法创新，通过软件增强可靠性方法、圆片级可靠性测试和产品级可靠性测试等评价方法，保证了产品质量和一年半开发周期，确保产品快速上市。相关产品是全球智能卡领域第一个实现了大规模稳定量产的55纳米智能卡芯片产品，良品率稳定在97%以上。

该项目取得包括国际专利在内的发明专利10项，软件著作权1项，集成电路布图3项，带动了芯片制造、芯片测试与封装、模块封装与测试、成卡测试与封装等产业链上多个环节的自主快速发展，满足了国内4G通讯激增的换卡需求，具有显著的经济和社会效益。

附图：55纳米嵌入式闪存智能卡芯片